マイクロストリップラインＢＰＦ付 １２００ＭＨｚプリアンプの製作
今回は１２００MHｚのプリアンプを作ってみました。
以前に製作した、１２００MHｚのプリアンプはキャビティ方式で製作し
ＮＦも非常に低く、良く出来上がったのですが、やはりチップ部品を
立体構成で作るのは困難です。
そこで、今回は基板タイプで作ってみました。
１２００ＭＨｚ付近は携帯電話で使用されている周波数も多いので、
基板上にマイクロストリップラインでＢ・Ｐ・Ｆ（バンドパスフィルター）
を作り、比較的に狭帯域に作り上げました。
初段のＦＥＴには、ＦＨＸ３５ＬＧ（富士通）を使用し、基板の材質は
ＰＰＥの０．６ｍｍ厚で作り上げました。
バイアス回路はマイナス電源にＮＪＬ７６６０を使用しました。
回路構成ですが、最初ににマッチングセクションを設けて、ＦＨＸ３５ＬＧ（富士通）につな
がりＢＰＦからＭＭＩＣに入ります。
各部のラインはすべてマッチングを考えて作っております。
ＢＰＦには１／４ラムダの共振回路で構成されています。
写真のとおりですが、ＮＦ：０．８ ＧＡＩＮ：３５ｄＢでした。
１２００ＭＨｚ帯での入力のＳＷＲは２．０以下で、出力のＳＷＲも２．０以下です。
GAIN:35dB,NF:0.8
ＧＡＩＮの特性も１２９０ＭＨｚ付近で最大になり、狭帯域なのが解ります。
設計帯域でリターンロス（ＳＷＲ=1.53）も良好です
プリアンプの基板はマキ電機のケースに収まるようにしましたので、流用が出来ます。
今回も、この基板で数枚のプリアンプを作ってみましたが、ラフに作ってもＮＦ０．８以下、
ＧＡＩＮ３５ｄＢ以上になるようで、定数さえしっかりしていれば、再現性も良いようです。
基板を入手した方の為に調整法を解説します。
パーツ付基板の製作例です。
まず初めに基板にＦＥＴ（ＦＨＸ３５ＬＧ）を取り付けます。
ＦＥＴは静電気に弱いので、取り付けには十分注意してください。
はじめにＦＥＴのソースをグランドパターンにつけます。このときハンダを十分しっかり付けてください。
ドレイン、ゲートと付けると良いでしょう。
基板をケースに取り付けます。ＶＣＣと貫通コンを接続します。
電源を接続したら、各部の電圧を測定します。
・７８Ｌ０５の出力側が５Ｖであること。
・７６６０の出力側（５番ピン）が−５Ｖであること。
１． 調整は２０ＫΩのＶＲでパワーが最大のところにバイアスを調整します。
そのときにドレイン電流が１０〜３０ｍＡでしたら正常です。ドレイン電流の測定は、ドレイン抵抗３．３オームの
両端電圧が０．１Ｖ〜０．０３Ｖになっています。
もし値が大幅に外れているときは、ＦＥＴのハンダ付けを見直してください。
それでも駄目なときは、ＦＥＴを交換してください。
２． ＢＰＦの１０ｐＦトリマーで最大ゲインに調整します。
３． ＦＥＴ入力側のマッチングコイルを調整します、ゲインが上がる用に少し変形させてください。
１〜３の調整を何度か繰り返し、最良点を見つけてください。
コイルの調整ですが、幅を広げたり、縮めたりして行います。おおよその幅が２．５ｍｍ付近が最良になるようです。
以上で調整終了です。
ＦＥＴは熱で出力が下がって来て、ＮＦも悪化しますので、放熱は十分行ってください。
また、入力電圧を７Ｖ程度まで下げるのも良いでしょう。
大まかな調整でも、GAIN35ｄB以上、NF0.8以下になると思いますので、作ってみてください。
追加情報です、ＦＥＴによっては発振が起こることが判明しました。
ＮＦが少し悪くなるのですが、安定動作する為に、回路の定数を一部変更しました。
変更箇所はゲート、ドレインの抵抗値です。
ドレイン側：１０オームに
ゲート側：５１オームに
入力のコイル：幅を７ｍｍ位まで広げる
更に回路定数を変更しましたので回路図を参照してください。
ＦＥＴのゲート、ドレインの抵抗値、入力のコイルＬを変更、ＢＰＦのトリマーを５ｐＦに変更しました。
更新：2004.07.30
詳しくは回路図を参照してください。
回路図はこちらです（PDF）
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