Mos−FET小型1200MHz・1.5Wアンプの製作


前回と同じように、NECから発売されたのMOS−FETを使ってパワーアンプの実験をしてみました。

今回のデバイスはNE552R479A(NEC)を使ってみました。
このデバイスは2.4GHz用のMos−FETですが、今回は1.2GHzで使用してみました。

結果は、思ったよりパワーが出ました。

  • 電源電圧:6V(VDS)
  • 入力:100mW
  • 出力:1.5W 
  • ID:450mA(set)
  • 電流:約700mA(ID)

こちらも効率が約50%以上はあり、発熱も少なくなりました。

1200MHzアンプ基板

今回は1.2GHz専用に考えて、可変電圧レギュレーター(LM317)とLPFを実装した、一体型の基板を作成しました。
特にLPFは楕円関数を使ったもので、スプリアスは60dB以上の減衰が有りました。スペアナではスプリアスを観測できないほどです。

FETの電圧は6Vですので、電源電圧は8V〜15V入力で使用できますし、電圧が可変できますのでパワーコントロールも可能です。
基板のサイズですが、45mm×27mmですので、組込み用としては最適です。




★調整方法

  1. バイアス調整用のVRを中間位置にセットしておく。
  2. 電圧調整用のVRで6V〜6.5Vに設定する。
  3. 100mW程度入力して、バイアス調整のVRで最大パワーにする。
  4. トリマーコンデンサーを調整し最大出力になるようにし、(3)(4)の調整を繰り返す。
  5. バイアス電圧が、3V前後であることを確認する。
  6. パワーが少ないときは、図面の位置にジャンパー線を入れフィルターの調整をする。
*電圧(Vds)を変更した時は、必ずバイアス電圧を再調整してください。
*バイアス電圧(Vgs)は5Vを超えないようにする。

自作のケースに入れてみました。
ケースはヒートシンクも兼ねていますので、連続運転でも大丈夫そうです。
入出力のコネクターはSMAとしました。
電源は貫通コンデンサーで供給します

完成したケースの寸法は54mm(W)×45mm(D)×16mm(H) 突起物を含まず。



★測定結果

FETの電源電圧を6.5Vに調整して、入出力の測定を行ってみました。
  • 電源電圧:12V
  • 入力周波数:1280MHz
  • FET電圧(Vds):6.5V
  • ドレイン電流(ID):670mA
  • バイアス電圧(Vgs):3.2V



入力電力:出力電力(mW)
  • 10mW --- 380mW
  • 20mW --- 690mW
  • 50mW --- 1290mW
  • 100mW --- 1630mW
測定の結果はゲインは約15.5dBで最大電力(IP3)は1.6W(100mW入力)になりました。

回路図はこちらです(PDF)


基板が出来上がりました、配布を致します。

ご質問はこちらまで 


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